器件3D模型

￥ 0.093

NTMD6N03R2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMD6N03R2G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTMD6N03R2G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

NTMD6N03R2G 数据手册 (7 页)

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NTMD6N03R2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

6.00 A

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

22.0 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @24V(Vds)

额定功率(Max)

1.29 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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NTMD6N03R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMD6N03R2G 符合标准

NTMD6N03R2G 海关信息