￥ 0.785

NTMFS4833NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SO-FL-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMFS4833NT1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 191A, DFN5

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTMFS4833NT1G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

NTMFS4833NT1G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTMFS4833NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SO-FL-8

通道数

1 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.0013 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.5 V

输入电容

5600pF @12V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

191 A

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

5600pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

910 mW

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

910mW (Ta), 125W (Tc)

查看数据手册 >

NTMFS4833NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

5.8 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTMFS4833NT1G 符合标准

NTMFS4833NT1G 海关信息

NTMFS4833NT1G 概述