器件3D模型

￥ 0.698

NTMFS4897NFT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DFN-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMFS4897NFT1G 场效应管, MOSFET, N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTMFS4897NFT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

NTMFS4897NFT1G 数据手册 (6 页)

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NTMFS4897NFT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

1.3 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

17.0 A

上升时间

24 ns

输入电容值(Ciss)

5660pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

950 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

950mW (Ta), 96.2W (Tc)

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NTMFS4897NFT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMFS4897NFT1G 符合标准

NTMFS4897NFT1G 概述

NTMFS4897NFT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.1 MByte

NTMFS4897NFT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.16 MByte

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