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NTMFS4C10NT1G
0.245
NTMFS4C10NT1G 数据手册 (7 页)
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NTMFS4C10NT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
封装
DFN-5
针脚数
5 Position
漏源极电阻
0.0058 Ω
极性
N-Channel
功耗
23.6 W
阈值电压
2.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
22.5A
输出功率
750 mW
输入电容值(Ciss)
987pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
750 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
750mW (Ta), 23.6W (Tc)
电源电压
30 V

NTMFS4C10NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTMFS4C10NT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.13 MByte

NTMFS4C10NT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4C10NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2.2 V
ON Semiconductor(安森美)
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