￥ 1.28

NTMFS5C646NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SO-FL-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTMFS5C646NLT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

NTMFS5C646NLT1G 数据手册 (6 页)

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NTMFS5C646NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

SO-FL-8

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

14.9 ns

反向恢复时间

40.9 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

2164pF @25V(Vds)

下降时间

5.1 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.7W (Ta), 79W (Tc)

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NTMFS5C646NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.05 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTMFS5C646NLT1G 符合标准

NTMFS5C646NLT1G 概述