器件3D模型

￥ 0.192

NTMS10P02R2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTMS10P02R2G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 10A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTMS10P02R2G 数据手册 (6 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在6 页

NTMS10P02R2G 数据手册 (6 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTMS10P02R2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

880 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A, 10.0 mA

输入电容值(Ciss)

3640pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

1.6 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

查看数据手册 >

NTMS10P02R2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTMS10P02R2G 符合标准

NTMS10P02R2G 海关信息

NTMS10P02R2G 概述