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NTP2955G
0.754
NTP2955G 数据手册 (5 页)
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NTP2955G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.196 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.4 W
阈值电压
4 V
输入电容
700 pF
栅电荷
14.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
上升时间
41 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta), 62.5W (Tc)

NTP2955G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

NTP2955G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

NTP2955 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -12 ,单P沟道, TO- 220 Power MOSFET −60 V, −12 A, Single P−Channel, TO−220
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTP2955G  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -60 V, 196 mohm, -10 V, -4 V
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