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NTP60N06G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

60V,60A功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTP60N06G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

典型应用电路图在1 页

NTP60N06G 数据手册 (10 页)

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NTP60N06G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

14.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

150 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

180.7 ns

输入电容值(Ciss)

3220pF @25V(Vds)

下降时间

142.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.4 W

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NTP60N06G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTP60N06G 符合标准

NTP60N06G 海关信息

NTP60N06G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.08 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

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