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NTR1P02
0.047
NTR1P02 数据手册 (9 页)
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NTR1P02 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
280 mΩ
极性
P-CH
功耗
0.4 W
阈值电压
2.3 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1A

NTR1P02 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NTR1P02 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte

NTR1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02LT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02T1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 0.148 ohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
-1.3A,-20V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
-12A,-60V逻辑电平的功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
NIC
0805 外壳 100 kOhm ±0.1 % 容差 ±25 ppm/°C
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