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NTR1P02LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTR1P02LT1G 数据手册 (5 页)

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封装尺寸在5 页

典型应用电路图在1 页

NTR1P02LT1G 数据手册 (5 页)

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NTR1P02LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-1.30 A

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

P-Channel

功耗

400 mW

输入电容

225 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.30 A, 1.30 mA

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

225pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

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NTR1P02LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTR1P02LT1G 符合标准

NTR1P02LT1G 海关信息

NTR1P02LT1G 概述