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NTR1P02LT1H
0.021
NTR1P02LT1H 数据手册 (5 页)
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NTR1P02LT1H 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.3A

NTR1P02LT1H 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

NTR1P02LT1H 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte

NTR1P02LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
-1.3A,-20V功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTR1P02LT1G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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