输入电容值(Ciss)
165pF @5V(Vds)
●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.07Ω @-1.6A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.40--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 730mW/0.73W Description & Applications| Features • Leading −20 V Trench for Low RDS(on) • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •领导-20 V沟道低的RDS（on） •-1.8 V额定低电压栅极驱动 •SOT-23表面贴装小尺寸 •无铅包装是可用
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