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NTR4101PT1H 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NTR4101PT1H 数据手册 (5 页)

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NTR4101PT1H 数据手册 (5 页)

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NTR4101PT1H 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.07 Ω

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

12.6 ns

输入电容值(Ciss)

675pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

420 mW

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

420mW (Ta)

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NTR4101PT1H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTR4101PT1H 符合标准

NTR4101PT1H 海关信息

NTR4101PT1H 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.07 MByte

NTR4101PT1H 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

NTR4101PT1H 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.31 MByte

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ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV

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ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV

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