￥ 0.068

NTS2101PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTS2101PT1G 数据手册 (5 页)

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NTS2101PT1G 数据手册 (5 页)

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NTS2101PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-8.00 V

额定电流

-1.40 A

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

极性

P-Channel

功耗

290 mW

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

8 V

漏源击穿电压

8 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

1.40 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

640pF @8V(Vds)

额定功率(Max)

290 mW

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

290mW (Ta)

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NTS2101PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.2 mm

宽度

1.24 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTS2101PT1G 符合标准

NTS2101PT1G 海关信息

NTS2101PT1G 概述