器件3D模型

￥ 0.04

NTTFS4C13NTAG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

WDFN-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTTFS4C13NTAG 数据手册 (7 页)

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NTTFS4C13NTAG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

WDFN-8

无卤素状态

Halogen Free

通道数

1 Channel

针脚数

5 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-CH

功耗

21.5 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

11.7A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

770pF @15V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

780mW (Ta), 21.5W (Tc)

NTTFS4C13NTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTTFS4C13NTAG 符合标准

NTTFS4C13NTAG 概述

NTTFS4C13NTAG 数据手册

NTTFS4C13NTAG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

NTTFS4C13NTAG 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.13 MByte

NTTFS4C13 数据手册

NTTFS4C13NTAG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.1 V

NTTFS4C13NTWG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NTTFS4C13N: 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，38A，9.4mΩ

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