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NTUD3169CZT5G
0.086
NTUD3169CZT5G 数据手册 (8 页)
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NTUD3169CZT5G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-963-6
通道数
2 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.75 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
125 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
280 mA
输入电容值(Ciss)
12.5pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
125 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

NTUD3169CZT5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.05 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTUD3169CZT5G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte

NTUD3169CZT5 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTUD3169CZT5G.  场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963
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