￥ 0.231

NTUD3170NZT5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-963-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTUD3170NZT5G 数据手册 (2 页)

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NTUD3170NZT5G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-963-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.75 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

125 mW

阈值电压

1 V

输入电容

12.5 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

280 mA

上升时间

25.5 ns

输入电容值(Ciss)

12.5pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

125 mW

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.2 W

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NTUD3170NZT5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.05 mm

宽度

0.85 mm

高度

0.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTUD3170NZT5G 符合标准

NTUD3170NZT5G 海关信息

NTUD3170NZT5G 概述

NTUD3170NZT5G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.19 MByte

NTUD3170NZT5G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.16 MByte

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NTUD3170NZT5G 数据手册

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