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NTZD3152PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

20V,-430mA,双功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTZD3152PT1G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

NTZD3152PT1G 数据手册 (5 页)

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NTZD3152PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-430 mA

封装

SOT-563-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

极性

P-Channel, Dual P-Channel

功耗

280 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

430 mA

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

175pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 mW

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NTZD3152PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTZD3152PT1G 符合标准

NTZD3152PT1G 海关信息

NTZD3152PT1G 概述

NTZD3152PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

NTZD3152PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

100 页 / 1.52 MByte

NTZD3152PT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.29 MByte

NTZD3152PT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

NTZD3152PT1 数据手册

NTZD3152PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

20V,-430mA,双功率MOSFET

NTZD3152PT1H 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

小信号MOSFET -20 V， -430毫安，双P通道带ESD保护， SOT- 563 Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563

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