￥ 0.053

NTZS3151PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-563-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTZS3151PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, -860 mA, -20 V, 120 mohm, -4.5 V, -1 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTZS3151PT1G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

NTZS3151PT1G 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTZS3151PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-950 mA

封装

SOT-563-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.12 Ω

极性

P-Channel

功耗

210 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-950 mA

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

458pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

170 mW

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

170mW (Ta)

查看数据手册 >

NTZS3151PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NTZS3151PT1G 符合标准

NTZS3151PT1G 海关信息

NTZS3151PT1G 概述