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NVMFD5877NLT1G
器件3D模型
0.367
NVMFD5877NLT1G 数据手册 (6 页)
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NVMFD5877NLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
DFN-8
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.031 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
23 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
17A
输入电容值(Ciss)
540pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.2 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
23 W

NVMFD5877NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.1 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NVMFD5877NLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte

NVMFD5877NLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NVMFD5877NLT1G  Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V 新
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