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NVR5198NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NVR5198NLT1G MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 2.2 A, 60 V, 0.107 ohm, 10 V, 2.5 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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NVR5198NLT1G 数据手册 (8 页)

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NVR5198NLT1G 数据手册 (8 页)

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NVR5198NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.107 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.5 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

182pF @25V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

900mW (Ta)

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NVR5198NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NVR5198NLT1G 符合标准

NVR5198NLT1G 海关信息

NVR5198NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.24 MByte

NVR5198NLT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.29 MByte

NVR5198NLT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.2 MByte

NVR5198NLT1 数据手册

NVR5198NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NVR5198NLT1G MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 2.2 A, 60 V, 0.107 ohm, 10 V, 2.5 V 新

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