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NVTFS5826NLTAG
0.21
NVTFS5826NLTAG 数据手册 (6 页)
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NVTFS5826NLTAG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
WDFN-8
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.019 Ω
极性
N-Channel
功耗
3.2 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
29 ns
输入电容值(Ciss)
850pF @25V(Vds)
下降时间
21 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.2W (Ta), 22W (Tc)

NVTFS5826NLTAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.15 mm
宽度
3.15 mm
高度
0.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NVTFS5826NLTAG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte

NVTFS5826 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NVTFS5826NLTAG  MOSFET Transistor, N Channel, 7.6 A, 60 V, 0.019 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
60V,20A,24mΩ,单N沟道功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
60V,20A,24mΩ,单N沟道功率MOSFET
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