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NVTJD4001NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

N沟道MOSFET,30V,250mA,1.5Ω

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NVTJD4001NT1G 数据手册 (5 页)

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NVTJD4001NT1G 数据手册 (5 页)

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NVTJD4001NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

1 Ω

功耗

0.272 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

33pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

272 mW

下降时间

82 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

272 mW

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NVTJD4001NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NVTJD4001NT1G 符合标准

NVTJD4001NT1G 海关信息

NVTJD4001NT1G 概述

NVTJD4001NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NVTJD4001NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.06 MByte

NVTJD4001NT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.04 MByte

NVTJD4001NT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.04 MByte

NVTJD4001NT1 数据手册

NVTJD4001NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道MOSFET,30V,250mA,1.5Ω

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