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NVTR01P02LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.14 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NVTR01P02LT1G 数据手册 (6 页)

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NVTR01P02LT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

P-CH

功耗

400 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.3A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

225pF @5V(Vds)

额定功率(Max)

400 mW

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

NVTR01P02LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

NVTR01P02LT1G 符合标准

NVTR01P02LT1G 概述

NVTR01P02LT1G 数据手册

NVTR01P02LT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.18 MByte

NVTR01P02LT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.08 MByte

NVTR01P02LT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.71 MByte

NVTR01P02LT1 数据手册

NVTR01P02LT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.14 ohm, -4.5 V, -1 V

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