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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > NX3008NBKW,115 Datasheet 文档
NX3008NBKW,115
0.02
NX3008NBKW,115 数据手册 (17 页)
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NX3008NBKW,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1 Ω
功耗
0.31 W
阈值电压
900 mV
输入电容
34 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
260 mW
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
260mW (Ta), 830mW (Tc)

NX3008NBKW,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NX3008NBKW,115 数据手册

Nexperia(安世)
17 页 / 0.87 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

NX3008 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET NX3008NBK,215, 400 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
NX3008NBKW,115 编带
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBK,215, 230 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET NX3008NBKS,115, 350 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si P沟道 MOSFET NX3008PBKS,115, 200 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 350 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW,115, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 400 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Nexperia(安世)
Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET NX3008CBKV,115, 220 mA,400 mA, Vds=30 V, 6引脚 SOT-666封装
NXP(恩智浦)
NX3008CBKV - 30 / 30 V,400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET
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