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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > NX7002BKMBYL Datasheet 文档
NX7002BKMBYL
器件3D模型
0.023
NX7002BKMBYL 数据手册 (17 页)
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NX7002BKMBYL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
XFDFN-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.2 Ω
功耗
0.68 W
阈值电压
1.6 V
输入电容
23.6 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
4.3 ns
输入电容值(Ciss)
23.6pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
下降时间
2.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta), 3.1W (Tc)

NX7002BKMBYL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NX7002BKMBYL 数据手册

Nexperia(安世)
17 页 / 0.34 MByte

NX7002 数据手册

Nexperia(安世)
N-沟道 60 V 4.5 Ohm 265 mW 0.33 nC 表面贴装 Mosfet - SOT-23
Nexperia(安世)
双 N-沟道 60 V 4.5 Ohm 0.43 nC 表面贴装 Trench Mosfet - TSSOP-6
Nexperia(安世)
NX7002BKR 编带
NXP(恩智浦)
NXP  NX7002AK  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
N沟道 60V 300mA
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 沟槽式, 双N沟道, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V
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