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P6SMB200AT3G
0.071
P6SMB200AT3G 数据手册 (7 页)
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P6SMB200AT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
工作电压
171 V
电容
115 pF
封装
DO-214AA
额定功率
600 W
击穿电压
200 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
600 W
钳位电压
274 V
最大反向电压(Vrrm)
171V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
210 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
190 V
击穿电压
190 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
-65℃ ~ 150℃

P6SMB200AT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.6 mm
宽度
3.56 mm
高度
2.2 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

P6SMB200AT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.03 MByte

P6SMB200AT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
P6SMB200AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 171V 2.2A 3W DO-214AA/SMB-200V 标记200A
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  P6SMB200AT3G  TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 171 V, 274 V, DO-214AA, 2 引脚
Littelfuse(力特)
600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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