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PBHV8115T
0.124
PBHV8115T 数据手册 (12 页)
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PBHV8115T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
10
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

PBHV8115T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm

PBHV8115T 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.11 MByte
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.4 MByte
NXP(恩智浦)
16 页 / 0.2 MByte

PBHV8115 数据手册

Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8115Z,115  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8115Z  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8115T,215  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJTS - BIPOLAR TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8115T  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
通用 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
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