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PBHV8560ZX
0.299
PBHV8560ZX 数据手册 (13 页)
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PBHV8560ZX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-261-4
极性
NPN
功耗
650 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
70 @50mA, 10V
额定功率(Max)
650 mW
耗散功率(Max)
650 mW

PBHV8560ZX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Pre-Release
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PBHV8560ZX 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.2 MByte

PBHV8560 数据手册

Nexperia(安世)
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 600 V, 650 mW, 500 mA, 70 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBHV8560Z  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 600 V, 650 mW, 500 mA, 70 hFE 新
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
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