PBSS306PZ 数据手册 - NXP（恩智浦）

NXP  PBSS306NZ,135  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 700 mW, 5.1 A, 30 hFE

Nexperia PBSS306NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=100 V, HFE:30, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装

单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NXP  PBSS306PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE

单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE

NXP  PBSS306NX,115  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors