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PBSS4350T,215
0.036
PBSS4350T,215 数据手册 (10 页)
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PBSS4350T,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3 W
针脚数
3 Position
功耗
1.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
300 @1A, 2V
额定功率(Max)
540 mW
直流电流增益(hFE)
300
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
540 mW

PBSS4350T,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS4350T,215 数据手册

Nexperia(安世)
10 页 / 0.08 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PBSS4350 数据手册

Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4350Z,135  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350X,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
三极管(晶体管) PBSS4350X,135 S43 SOT-89
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4350Z  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4350D,115 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS4350SS,115, 双 NPN 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:300, 1 MHz, 8引脚 SOT-96封装
NXP(恩智浦)
PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低VCEsat (BISS) 晶体管 - SOIC-8
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