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PBSS5140V,115
0.05
PBSS5140V,115 数据手册 (7 页)
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PBSS5140V,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-563
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
300 @100mA, 5V
最大电流放大倍数
300 @1mA, 5V
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

PBSS5140V,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS5140V,115 数据手册

NXP(恩智浦)
7 页 / 0.24 MByte

PBSS5140 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS5140U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:160, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5140U  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistor
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