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PBSS5160T,215
0.022
PBSS5160T,215 数据手册 (12 页)
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PBSS5160T,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
220 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
1.25 W
针脚数
3 Position
功耗
270 mW
增益频宽积
220 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
150 @500mA, 5V
最大电流放大倍数
200 @1mA, 5V
额定功率(Max)
400 mW
直流电流增益(hFE)
350
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

PBSS5160T,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS5160T,215 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.65 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PBSS5160 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS5160T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5160T,215  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5160T  单晶体管 双极, PNP, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 350 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5160DS,115.  晶体管, BISS, 双路 PNP, -60V, -1A
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS5160DS,115, 双 PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 6引脚 TSOP封装
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -60 V, 150 MHz, 325 mW, -1 A, 85 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, 双PNP, -60 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 70 hFE
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