●晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 6-TSOP
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS9110Z,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS9110X,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
NXP（恩智浦）
NXP PBSS9110X,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 550 mW, -1 A, 150 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS9110Z,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE
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