器件3D模型

￥ 0.169

PBSS9110Y,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SC-70-6

描述:

PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PBSS9110Y,115 数据手册 (13 页)

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PBSS9110Y,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

100 MHz

引脚数

6 Pin

封装

SC-70-6

极性

PNP

功耗

0.625 W

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数

150 @1mA, 5V

额定功率(Max)

625 mW

耗散功率(Max)

625 mW

PBSS9110Y,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

PBSS9110Y,115 符合标准

PBSS9110Y,115 数据手册

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