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PD55003-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

PowerSO-10RF

描述:

STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PD55003-E 数据手册 (29 页)

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PD55003-E 数据手册 (29 页)

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PD55003-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

500 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

2.5 A

封装

PowerSO-10RF

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

31.7 W

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

2.50 A

输出功率

3 W

增益

17 dB

测试电流

50 mA

输入电容值(Ciss)

36pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

31700 mW

额定电压

40 V

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PD55003-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

7.5 mm

宽度

9.4 mm

高度

3.5 mm

工作温度

-65℃ ~ 165℃

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PD55003-E 符合标准

PD55003-E 海关信息

PD55003-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 0.45 MByte

PD55003-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.16 MByte

PD55003-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1 MByte

PD55003-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.21 MByte

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