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PD57006S-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerSO-10RF

描述:

LDMOST 系列 N沟道增强模式射频功率晶体管 PowerSO-10RF

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PD57006S-E 数据手册 (22 页)

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PD57006S-E 数据手册 (22 页)

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PD57006S-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

945 MHz

引脚数

3 Pin

额定电流

1 A

封装

PowerSO-10RF

功耗

20 W

漏源击穿电压

65 V

输出功率

6 W

增益

15 dB

测试电流

70 mA

输入电容值(Ciss)

27pF @28V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

20000 mW

额定电压

65 V

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PD57006S-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

7.5 mm

宽度

9.4 mm

高度

3.5 mm

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PD57006S-E 符合标准

PD57006S-E 海关信息

PD57006S-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.53 MByte

PD57006S-E 其他数据使用手册

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