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PD57006STR-E
11.74
PD57006STR-E 数据手册 (22 页)
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PD57006STR-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
945 MHz
引脚数
3 Pin
封装
PowerSO-10RF
功耗
20000 mW
漏源极电压(Vds)
65 V
输出功率
6 W
增益
15 dB
测试电流
70 mA
输入电容值(Ciss)
27pF @28V(Vds)
工作温度(Max)
165 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW
额定电压
65 V

PD57006STR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 165℃

PD57006STR-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.53 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.14 MByte

PD57006 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  PD57006-E  晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
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