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PD85015TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

PowerSO-10RF

描述:

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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PD85015TR-E 数据手册 (14 页)

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PD85015TR-E 数据手册 (14 页)

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PD85015TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

870 MHz

引脚数

3 Pin

封装

PowerSO-10RF

功耗

59 W

输出功率

15 W

增益

16 dB

测试电流

150 mA

输入电容值(Ciss)

45pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max)

165 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

59000 mW

额定电压

40 V

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PD85015TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

7.5 mm

宽度

9.4 mm

高度

3.5 mm

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PD85015TR-E 符合标准

PD85015TR-E 海关信息

PD85015TR-E 数据手册

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14 页 / 0.24 MByte

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