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PDTB123YT,215
0.017
PDTB123YT,215 数据手册 (10 页)
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PDTB123YT,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
0.25 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
70 @50mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

PDTB123YT,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm

PDTB123YT,215 数据手册

Nexperia(安世)
10 页 / 0.12 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PDTB123 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PDTB123YT,215 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTB123ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTB123YT  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 50 mA, 70 hFE
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
NXP(恩智浦)
NXP  PDTB123YT,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTB123TT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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