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PDTD113ZT,215
0.018
PDTD113ZT,215 数据手册 (9 页)
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PDTD113ZT,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
70 @50mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

PDTD113ZT,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm

PDTD113ZT,215 数据手册

Nexperia(安世)
9 页 / 0.06 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PDTD113 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PDTD113ZT,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PDTD113ET,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTD113ET,215  晶体管, BRT, NPN, 50V, 500MA, 1KΩ
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
NXP(恩智浦)
NXP  PDTD113ZT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
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