￥ 0.03

PDTD113ZT,215 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

NXP PDTD113ZT,215 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PDTD113ZT,215 数据手册 (9 页)

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PDTD113ZT,215 数据手册 (9 页)

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PDTD113ZT,215 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

极性

NPN

功耗

0.25 W

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

500mA

最小电流放大倍数

70 @50mA, 5V

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

250 mW

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PDTD113ZT,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

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PDTD113ZT,215 符合标准

PDTD113ZT,215 海关信息

PDTD113ZT,215 数据手册

NXP（恩智浦）

9 页 / 0.06 MByte

PDTD113ZT,215 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

PDTD113ZT,215 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

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