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PDTD123YQAZ
0.019
PDTD123YQAZ 数据手册 (22 页)
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PDTD123YQAZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
XDFN-3
功耗
940 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
70 @50mA, 5V
额定功率(Max)
325 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
210 MHz
耗散功率(Max)
940 mW

PDTD123YQAZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

PDTD123YQAZ 数据手册

Nexperia(安世)
22 页 / 1.91 MByte

PDTD123 数据手册

Nexperia(安世)
双电阻器数字 NPN 晶体管,Nexperia### 数字晶体管,Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia(安世)
Nexperia PDTD123TT,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP  PDTD123YT,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-23
Nexperia(安世)
Nexperia PDTD123ET,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 开路
NXP(恩智浦)
NXP  PDTD123YT  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 500 mA, 70 hFE
NXP(恩智浦)
NPN 500毫安, 50 V电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧, R2 = 10 kΩ的 NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
Nexperia(安世)
1个NPN-预偏置 50V
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 PDTD123YQA/DFN1010D-3/REEL 7
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