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PESD5V0S1BB,115
0.071
PESD5V0S1BB,115 数据手册 (15 页)
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PESD5V0S1BB,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
电容
45 pF
封装
SOD-523
击穿电压
9.5 V
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
130 W
钳位电压
14 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
9.5 V
脉冲峰值功率
130 W
最小反向击穿电压
5.5 V
击穿电压
5.5 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150 ℃

PESD5V0S1BB,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.25 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.65 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TA)

PESD5V0S1BB,115 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.08 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte
NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
NXP(恩智浦)
1 页 / 0.12 MByte

PESD5V0S1 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0S1BA  静电保护装置, TVS, 14 V, SOD-323, 2 引脚
Nexperia(安世)
二极管, TVS, SOD-323, 整卷
Nexperia(安世)
PESDxxxL2 系列,低电容双路双向 ESD 保护二极管,Nexperia低电容双向双路静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型表面安装设备 (SMD) 塑料封装,设计用于保护最多两条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
Nexperia(安世)
PESDxxxS1 系列,双向 ESD 保护,用于瞬态电压抑制,Nexperia双向静电放电 (ESD) 保护二极管,设计用于保护一条信号线路不被 ESD 及其他瞬态损坏。### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0S1BL,315  静电保护装置, 14 V, SOD-882, 2 引脚, 130 W
Nexperia(安世)
二极管, TVS, SOD-523, 整卷
Nexperia(安世)
ESD (ElectroStatic Discharge) Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, Nexperia### 瞬态电压抑制器,Nexperia
NXP(恩智浦)
PESDxxxS1 Series, Bidirectional ESD Protection for Transient Voltage SuppressionBidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode designed to protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.### 瞬态电压抑制器,NXP
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0S1BB,115  二极管, TVS, SOD-523
NXP(恩智浦)
NXP  PESD5V0S1UB,115  二极管, TVS, SOD-523, 整卷
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