PH3230S 数据手册 - NXP（恩智浦）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 100A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | VGS = 10 V; ID = 25 A RDS= 2.7~3.2 mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation | 62.5W Description & Applications | 描述与应用 | 　n沟道增强型场效应功率晶体管 　　逻辑电平兼容 　　■低闸极电荷 　　■高密度安装 　　■开态电阻非常低。