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PIC18F1330T-I/SO
器件3D模型
1.583
PIC18F1330T-I/SO 数据手册 (319 页)
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PIC18F1330T-I/SO 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
18 Pin
封装
SOIC-18
RAM大小
256 x 8
位数
8 Bit
功耗
1000 mW
ADC数量
1 ADC
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

PIC18F1330T-I/SO 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
11.53 mm
宽度
7.49 mm
高度
2.31 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

PIC18F1330T-I/SO 数据手册

Microchip(微芯)
319 页 / 2.39 MByte
Microchip(微芯)
36 页 / 0.43 MByte
Microchip(微芯)
6 页 / 0.08 MByte
Microchip(微芯)
2 页 / 0.1 MByte

PIC18F1330 数据手册

Microchip(微芯)
18 /20/ 28引脚,增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
Microchip(微芯)
MICROCHIP  PIC18F1330-I/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F1xxx, 40 MHz, 8 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIP
Microchip(微芯)
PIC18F1230/1330 8 位微控制器### PIC18 微控制器
Microchip(微芯)
MICROCHIP  PIC18F1330-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F1xxx, 40 MHz, 8 KB, 256 Byte, 18 引脚, SOIC
Microchip(微芯)
18 /20/ 28引脚,增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
Microchip(微芯)
18 /20/ 28引脚,增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
Microchip(微芯)
18 /20/ 28引脚,增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
Microchip(微芯)
8位微控制器 -MCU 8KB Flash 256 RAM
Microchip(微芯)
18 /20/ 28引脚,增强型闪存微控制器采用纳瓦技术,高性能PWM和A / D 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
Microchip(微芯)
PIC 40MHz 闪存:4K@x16bit
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