PMBS3904 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. 描述与应用| 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大40 V）。 应用 •通用开关和放大，如 电话和专业的通信设备。 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。