PMBT3904 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V

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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V

●耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W

●Description & Applications| NPN switching transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package

●描述与应用| NPN开关晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大40 V）。 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 NPN开关晶体管在SOT23塑料包装