PMBT3906 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −200mV/-0.2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP switching transistor FEATURES • Low current • Low voltage APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT23 plastic package. NPN complement: PMBT3904. 描述与应用| PNP开关晶体管 特点 •低电流 •低电压 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。 NPN补充：PMBT3904。