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PMBTA42DS,125
0.088
PMBTA42DS,125 数据手册 (10 页)
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PMBTA42DS,125 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-457
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
40 @30mA, 10V
最大电流放大倍数
40
额定功率(Max)
420 mW

PMBTA42DS,125 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

PMBTA42DS,125 数据手册

NXP(恩智浦)
10 页 / 0.07 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

PMBTA42 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PMBTA42  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
Nexperia(安世)
高电压晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Philips(飞利浦)
Yageo(国巨)
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PMBTA42,215  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PMBTA42,185 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-11
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 6-Pin
Nexperia(安世)
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